Pertenece a la familia de los tiristores (elementos semiconductores que gracias a la realimentación interna produce una conmutación de estado de no conducción a conducción) Un SCR Posee 3 terminales: ánodo, cátodo y compuerta. La compuerta es la que se encarga de habilitar el paso de corriente entre las terminales ánodo – cátodo. Cuando la puerta está habilitada funciona igual que un diodo: Permite el paso de corriente únicamente en sentido ánodo-cátodo y no en sentido inverso. Es por eso que el SCR se utiliza para sistemas de potencia igualmente. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ó transistor bipolar de puerta aislada, en español. Es un dispositivo electrónico, más reciente que el SCR el cual se utiliza para sistemas de potencia igualmente. No produce o genera energía reactiva. Fue creado con el fin de obtener en un solo elemento la capacidad de alto manejo de corriente de un transistor BJT común, con la puerta aislada de un FET. El resultado fue un dispositivo cuya velocidad de reacción es más alta que un transistor común e incluso que un SCR, haciéndole atractivo en aplicaciones de media-alta frecuencia a costo de un menor manejo de potencia. En otras palabras: un IGBT maneja frecuencias más altas que el SCR pero una potencia más baja que estos. Para la fusión de metales por inducción, la potencia aplicada es inversamente proporcional a la frecuencia de la señal inducida; esto indica que en equipos de gran potencia (que sugieren igualmente gran capacidad de fusión de metal), la frecuencia es menor comparada con equipos de menor potencia para fusión del mismo metal. En el caso del sistema ofertado para la fusión de Níquel. Al ser un equipo de capacidad relativamente pequeña (que conlleva a un suministro de potencia bajo) implica a su vez un aumento en la frecuencia de la señal inducida, dando pie a considerar al IGBT como una opción más adecuada que el SCR, el cual, como es de suponer se utiliza generalmente en equipos grandes.